化工業(yè)uv光催化氧化設備當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。
品牌 | 境壹凈 | 加工定制 | 是 |
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化工業(yè)uv光催化氧化設備UV光催化設備能高效去除揮發(fā)性有機物、硫化氫、氨氣等無機物類污染物,以及各種惡臭味,脫臭效率高,脫臭效果大大優(yōu)于國家頒布的惡臭污染物排放標準。
UV光催化設備無任何機械裝置,無運動噪音,無需專人管理和日常維護,只需要作定期檢查維護,維護和能耗成本低,風阻極低,可節(jié)約大量排風動力能耗,達到節(jié)能的目的。設備結構簡單,維修保養(yǎng)方便,可以根據(jù)處理風量進行定制;凈化效率高、容塵量大、阻燃、阻力小、使用壽命長。
化工業(yè)uv光催化氧化設備采用高強度納米紫外線破壞、分解大分子鏈為小分子鏈,再利用臭氧和羥基自由基氧化、催化劑進行催化氧化,使有機物變?yōu)樗投趸迹赃_到去除有機物的目的。
UV光解氧催化凈化無需添加任何物質(zhì):只需要設置相應的排風管道和排風動力,使氣體通過本設備進行脫臭分解凈化,無需添加任何物質(zhì)參與化學反應。可適應高濃度,大氣量,不同有機化學氣體物質(zhì)的凈化處理,可每天可長時間連續(xù)工作,運行穩(wěn)定可靠。
由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區(qū)域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數(shù)的有機物氧化至產(chǎn)物CO2和H2O,甚至對一些無機物也能 分解。